| 型号：IDT71V25761SA200BG8 | 类别：存储器 | 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 封装：119-BGA | 描述：IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA | |
详细参数
| 类别 | 存储器 |
|---|---|
| 描述 | IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA |
| 系列 | - |
| 制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 格式_存储器 | RAM |
| 存储器类型 | SRAM - 同步 |
| 存储容量 | 4.5M（128K x 36） |
| 速度 | 200MHz |
| 接口 | 并联 |
| 电压_电源 | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳 | 119-BGA |
| 供应商器件封装 | 119-PBGA（14x22） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市毅创弘电子科技有限公司 | 可乔086-0755-83514939 |
| 深圳市科雨电子有限公司 | 周小姐，171-4729-9698微信同号，无线联通更快捷！171-4729-9698（微信同号） |
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2010（5025 公制）
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2010（5025 公制）
RES 300 OHM 3/4W 5% 2010 SMD
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8-TSSOP（0.173＂，4.40mm 宽）
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IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA
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芯片电阻 - 表面安装
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2010（5025 公制）
RES 3.3K OHM 3/4W 5% 2010 SMD
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- IDT71V25761YSA183BGI8
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IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP
- ERJ-12ZYJ332U
芯片电阻 - 表面安装
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2010（5025 公制）
RES 3.3K OHM 3/4W 5% 2010 SMD
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